参数资料

型号:SI2312BDS-T1-GE3

功能描述:MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

相关型号
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • SI2312BDS-T1-GE3
  • 86712
  • VISHAY
  • 最新
  • *
  • 全新原装正品 欢迎进店咨询 18766039713.. 
  • 立即询价
  • SI2312BDS-T1-GE3
  • 100979
  • VISHAY
  • 16+
  • Discrete semicon
  • 原装现货,量大特价,原厂正规渠道! 
  • 立即询价